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DC-LINK直流支撑电容器 AC交流滤波电容电容器厂家https://www.cookekolb.com库克库伯电气(上海)有限公司30余年专注无功补偿及谐波治理等电能质量问题。在电力电容器,滤波电容器,自愈式电力电容器,滤波电抗器等产品上有专业的技术和优质的客户服务。400-607-8886！
薄膜电容器又称为塑胶薄膜电容器，金属化薄膜电容器，金属膜电容器，他的结构是采用塑胶薄膜表面金属蒸镀后卷绕而成。薄膜电容器应该怎么分类呢，一直困扰大家，现在以东莞市科尼盛电子有限公司生产的薄膜电容器产品系列为例子给大家普及薄膜电容器，金属膜电容器的分类，简单通俗易懂，希望能帮助到大家。
安规电容器
薄膜电容器我们可以按照金属膜材质分类，可以分为金属化聚丙烯膜电容器和金属化聚酯膜电容器，也就是我们说的PP金属膜电容器和PE金属膜电容器。
那么MPP金属化聚丙烯膜电容器和MPE金属化聚酯膜电容器有什么区别呢，现在我就来告诉大家。MPP金属膜电容器，又称为MPP金属化聚丙烯膜电容器，CBB金属化聚丙烯膜电容器，CBB22电容器，CBB电容器，CBB21电容器，MMKP82谐振电容器，CBB81高压电容器，CBB13电容器等。
金属化聚丙烯膜电容器的优势就在于损耗低，过电流能力强，而且不易氧化，保存日期久，这是金属化聚酯膜电容器不能有的电性。但是MPE金属化聚酯膜电容器，具备耐高温125℃的高温特性。
MPP金属化聚丙烯膜电容器
所以即便现在很广泛普及的金属化聚丙烯膜电容器，而高温场合依旧采用MPE金属化聚酯膜电容器，他涵盖CL11涤纶电容器，CL11麦拉电容器，CL23B校正电容器，CL21X精密 电容器，CL21金属膜电容器，CL金属膜电容器。所以过波峰焊的X2安规电容器依旧采用的是金属化聚酯膜内串结构制造。金属化聚酯膜电容器还有一个优势就是同规格，体积会比金属化聚丙烯膜电容器体积小。所以脚距5MM金属膜电容器基本都是金属化聚酯膜电容器，金属化聚酯膜薄膜电容器。
薄膜电容器还可以按照电压分类，这个就比较复杂，因为涵盖电力薄膜电容器。薄膜电容器可以分为直流薄膜电容器，直流电容器，安规薄膜电容器，脉冲吸收薄膜电容器，直流支撑薄膜电容器，交流滤波薄膜电容器，启动电容器，电力电子电容器。下面我们一个一个详细介绍这些分类的电容器。
安规电容器
直流电容又称为直流薄膜电容器，直流金属膜电容器，涵盖金属化聚酯膜电容器和金属化聚丙烯膜电容器，通常我们说的直流电容器也就是指小型化薄膜电容器，直流电容器是广泛应用于消费类电子领域，适合于高频大电流的滤波、旁路，耦合，脉冲/谐振和PFC等场合。直流金属化聚酯膜电容器有CL11涤纶麦拉电容器，CL21X小型化金属膜电容器，CL23B校正电容器，CL21金属化聚酯膜电容器，MPE金属化聚酯膜电容器，X2安规电容器，MEB可装金属化聚酯膜电容器。直流金属化聚丙烯膜电容器涵盖：CBB电容器，CBB21电容器，CBB22电容器，MPP电容器，MPB壳装电容器，MMKP82谐振电容器，CBB13电容器，CBB81电容器。
安规电容器
安规电容器主要涵盖X2安规电容器，X1安规电容器，Y1安规电容器，Y2安规电容器，又称为塑胶外壳薄膜电容器，都取得美国UL、中国CQC、德国VDE和韩国KTL国际安全认证。可以用于抗电磁干扰用，也可以用于阻容降压电容器使用。安规电容用于跨线或对地应用中的电磁干扰抑制，有X1/X2/Y2安规类别，当电容器故障时，不会导致电击危险情况。
吸收电容与IGBT/GTO在电路中并联使用，避免因电压突变对IGBT/GTO造成损伤。吸收脉冲薄膜电容器其实是属于金属化聚丙烯膜电容器，涵盖MMKP82谐振电容器，轴向薄膜电容器以及焊片式。
安规电容器 X2安规电容器 MMKP82谐振
直流支撑电容又称为DC-LINK薄膜电容器，是连接整流器和逆变器之间的DC链上的电容器，用于滤除因为逆变器造成的电压瞬变，直流支撑电容也有助于平滑输出直流波形。
交流滤波电容用于交流滤波和功率因数校正（PFC），电容的外观尺寸取决于系统功率的大小。涵盖轴向电器，壳装电容器和铝壳装轴向电容器。
启动电容一般为圆柱形铝壳或方形塑壳，其端子为快速端子或软导线。启动电容器应用于马达启动/运行和空压机启动/运行。
电力电子电容一般用于要求高容值高压要求的电路。应用场合为，直流支撑/直流滤波，能量存储， HVDC 柔性直流输电。涵盖容量：1000μF ~ 20000μF，电压：450Vdc ~ 3000Vdc，具备高纹波电流，高能量密度，干式 (环氧树脂)。
以上我们明白了薄膜电容器的分类，下面我们介绍一下 薄膜电容器的参数含义，以方便我们更加掌握薄膜电容器的分类。
额定容量Cn：薄膜电容器在20℃/50-120Hz下的设计电容量。
额定电压Un：对采用IEC 60831-1/-2标准的电容器，仅指设计电容器时规定的交流电压方均根值。
有效值电压Urms：电容器在连续运行过程中允许出现的最大正弦交流电压的方均根值。
纹波电压Ur：单向电压的峰到峰的交流分量。
非周期冲击电压Us：由切换或系统中任何别的扰动所导致的峰值电压，此电压只允许出现有限的次数，且每次持续时间应比基本周期短。
绝缘电压Ui：设计电容器时规定的电容器端子对外壳或对地交流电压的方均根值。若未作说明，此绝缘电压等于额定电压除以√2。
最大电流Imax;连续运行时的最大电流的方均根值。
最大峰值电流Ipk:在连续运行中允许重复出现的最大峰值电流。其数值为：
Ipk=Cx(dV/dt)其中C为电容量，dV/dt表示电压爬升速率，即在运行中允许重复出现的最大电压爬升速率，常用来代替Ipk使用。
最大冲击电流Is:由切换或系统中任何别的扰动所导致的允许出现的峰值电流，此电流只允许出现有限的次数，且每次持续时间应比基本周期短。
串联电阻Rs:在规定的运行条件下，电容器导体部分的等效电阻。串联电阻随温度升高而增大，其电阻温度系数约为0.004／℃，近似公式为：Rs(T2)=[1 +0.004×(T2-T1)]×Rs(T1)
等效串联电阻ESR:一个有效电阻，当它和所探讨的电容器有相等电容值的理想电容器串联时，在规定的运行条件下，该电阻的损耗功率将等于该电容器中耗散的有功功率。
介质损耗因素tgδd:电容器的介质材料在额定频率下的损耗常数。聚丙烯薄膜的典型介质损耗因素为2×10-4。
电容器的损耗因素tgδ:在规定频率的正弦波电压作用下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率，其值为等效串联电阻和容抗之比。
介质损耗功率Pd:电容器的电介质由于极化或电导引起的损耗，其值为：
Pd=U2xπ×f0×Cxtgδd
直流电容器：U=Ur/2
交流电容器：U＝√2x Urms
GTO吸收电容器：U=UNDC/2
f0：施加在电容器上电压的基本频率
C：电容量
焦耳损耗功率Pj:当电容器通过有效电流时，由于串联电阻Rs发热而引起的损耗，其值为：Pj=I2rms×Rs
电容器的损耗功率Pt；电容器所消耗的有功功率， 由介质损耗与焦耳损耗组成，
即Pt=Pd＋Pj＝ I2rms×ESR
最大损耗功率Pmax
在最高运行温度下电容器可以承载的最大损耗功率。
自感Ls
电容器由于自身结构或组成的原因所表现出来的电感。
谐振频率fr
电容器的阻抗成为最小时的最低频率。其值为：
fr=1/（2πx√(LsxCn)）
额定频率fn
设计电容器时所规定的频率。
运行温度? case
在电容器达到热平衡状态时的外壳最热点处温度
最高运行温度?max
电容器可以运行的最高外壳温度。
最低运行温度?min
电容器可以运行的最低电介质温度。
冷却空气温度?amb
在稳定状态条件下，在电容器组最热区域的两单元之间中途所测得的空气温度。
如果仅涉及一单元，则指在离电容器外壳10cm且距其基底 2/3高度处所测得的空气温度。
外壳温升△?case
外壳最热点温度和冷却空气温度之差。
热阻Rth
热阻表征的是电容器的发热功率每上升1瓦， 电容器内最热点的温度在环境温度? amb的基础上升高的度数。
Rth由内部热点到外壳的热阻Rth-hc与外壳到环境的热阻Rth-ca两部分组成。
热点温度?hs
电容器内部最热点处的温度。其值为:
?hs=?amb+PtxRth或者?hs=?case+PtxRth-hc
容量温度系数α
电容器在规定的温度范围内容量随温度的变化率。通常以 20℃时电容量 为参考，用百万分之一每摄氏度（10-6/℃）表示。（10-6/℃＝1 ppm/℃）
α=( Ci - C0)/( C0(Ti - T0))
Ci：电容器在温度Ti时容量
C0：电容器在T0(20±2）℃时的容量
绝缘电阻(IR)/时间常数(τ)：绝缘电阻为电容器充电1分钟后所加的直流电压和流经电容器的漏电流值的比值，单位为MΩ。时间常数为绝缘电阻和电容量的乘积，通常以秒表示，公式如下：τ=IR(MΩ)XCn(uF)一般情况下，绝缘电阻用于描述小容量电容器的绝缘特性，时间常数用于描述大容量（如：Cn>0.33μF）电容器的 绝缘特性。
自愈性（仅对金属化薄膜电容器）：电容器的电特性在发生局部电介质击穿后迅速而基本地恢复到击穿前的值的过程。金属化膜的金属镀层是通过真空蒸发的方法将金属沉积在薄膜上，厚度只有几十个纳米，当介质上存在弱点、杂质时， 局部电击穿就可能发生，电击穿处的电弧放电所产生的能量足 以使电击穿点邻近处的金属镀层蒸发，使击穿点与周围极板隔 开，电容器电气性能即可恢复正常。
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发表于 2023-12-28 20:31:14
